集成电路制造技术复习笔记:第十章
光刻技术
光刻掩模版的制造
制版工艺简介
掩膜版上保护膜:使外来物品无法聚焦在晶片上。
铬版的制备技术
- 由于金属铬膜与相应的玻璃衬底有很强的粘附性能,因此牢固度高,而且金属铬质地坚硬,使得铬版非常耐磨,使用寿命很长。
- 图形失真小,分辨率极高。
- 铬膜的光学密度大,0.08μm厚的铬膜就可达到4μm乳胶膜的光学密度,由于衬底是透明玻璃,所以反差极好。
- 铬版掩模经长时间使用,其图形的尺寸变化较少而且制作时出现的缺陷很少。
彩色版制备技术
彩色版是一种采用新型的透明或半透明掩模,因有颜色,即俗称彩色版,它可克服超微粒干版缺陷多,耐磨性差及铬版针孔多、易反光、不易对准等缺点。
彩色版种类很多,有氧化铁版、硅版、氧化铬版、氧化亚铜版等,目前应用较广的是氧化铁彩色版。
氧化铁彩色版的优点:
- 在观察光源波长下是透明的,而在曝光光源波长下是不透的。由于这一特性,掩模对可见光透明而阻挡紫外线通过,因而允许在光刻时通过掩模直接观察片子上的图形。
- 具有较低的反射率,在接触曝光时,由于掩模与片子之间的多次反射从而降低了铬掩模的有效分辨率,由于氧化铁掩模的反射率低,与正性胶配合能获得0.5~1μm的条宽。因此制得的氧化铁掩模版具有较高的分辨率。
- 氧化铁版由于是吸收(而不是反射)不需要的光,因而克服了光晕效应,加强了对反射性衬底的对比度,有利于精细线条光刻。
- 氧化铁结构致密且无定形,针孔少。
- 氧化铁是比较耐磨的掩模材料。
- 复印腐蚀特性比较好,在一定程度上减少了掩模缺陷。
光刻胶
组成
- 溶剂:使光刻胶具有流动性,易挥发,对于光刻胶的化学性质几乎没有影响。
- 树脂:把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂
- 感光剂:光刻胶材料中的光敏成分,对光能发生光化学反应
- 添加剂:控制光刻胶材料特殊方面的化学物质
分类
正胶
正性光刻胶经紫外光曝光后,经历了一种光化学反应,使原来难以被显影液溶解的特性变得可溶解。显影后与掩膜版相同的图形留在光刻胶上。
负胶
负性光刻胶经紫外光曝光后发生交联反应并会硬化,使原来可以被显影液溶解的成分变得不可溶解。显影后与掩膜版相反的图形留在光刻胶上。
对比
胶体类型 | 优点 | 缺点 |
---|---|---|
正胶 | 显影容易,图形边缘齐,无溶涨现象,光刻的分辨率高,去胶也较容易 | 粘附能力差,易造成钻蚀 |
负胶 | 粘附能力好,抗蚀性强 | 边界不齐,分辨率低,不易去胶 |
紫外曝光系统
接近式存在边缘光衍射问题
光刻机
平面工艺诞生以来,光刻设备可以分为五代。每一代又以那个时期获得CD和分辨率所需的设备类型为代表。这五个精细光刻时代的代表是:
- 接触式光刻机
- 接近式光刻机
- 扫描投影光刻机
- 分步重复投影光刻机
- 步进扫描光刻机
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