Esing的小站

前言 换了新电脑，刚好配一下LaTeX环境，以便后面写毕设论文。实在用不惯Word，告辞。 LaTeX配置 镜像下载 搜索texlive2025.iso，各大高校镜像站都能下到。比如：texlive2025.iso - 清华大学开源软件镜像站或者是texlive2025.iso - 西安交通大学软件镜像站。 Win10及以上自带了虚拟光驱，直接双击打开就行。 安装设置 打开挂载后的镜像，选择install-tl-windows.bat，运行后会得到下面的GUI安装界面： 可以修改安装位置。这里点进去Advanced，展开高级设置： 然后点开N. of collections，选择一下语言。这里就选中文和英语，应该够了吧。此外，安装位置也可以选。全套装完大约占用10G的空间，C盘不够的就移到别的盘里安装。 之后开始安装即可。等待时间有点长，显示的一刻钟就好，实际上大约半个小时。 听说第一步选择管理员身份运行也可以，但是后面每次更新包都要以管理员身份运行。但我测试了一下，正常运行tlshell更新库好像没问题？ 不选择管理员身份安装只是不能装到C盘根目录下罢了。 小BUG 安装时出现 ...

微软越做越抽象了，从软件到系统无一幸免。

指令 RISC-V 的基础指令分为RISU四种类型。基于对立即数的处理，还有两个指令格式的变体BJ。 R-Type 寄存器类型 R-type 的 OPCODE 均为0010011。指令分类，根据funct3先进行一次区分，再根据funct7进行一次判断。 比如，对于ADD/SUB/MUL，其funct3均为3'h0。因此，还需要再对funct7进行判断： 1234567891011121314151617181920212223`OPCODE_RTYPE: begin // R-Type branch_cancel <= 0; jalr_cancel <= 0; rd_ptr_out <= rd; imm_val_out <= 32'b0; using_imm_out <= 'b0; case (funct3) `FUNCT3_ADD_SUB_MUL: alu_op_out <= inst_in[25]?`ALU_MUL:inst_in[30] ? `A ...

RISC-V：缘起名校、兴于开源 RISC-V （英文读作“risk-five”) 架构主要由美国加州大学伯克利分校的众多教授于 2010 年发明。RISC-V 是一种全新的指令集架构，里面的“V”包含两层意思：一是这是加州大学伯克利分校从 RISC I 开始设计的第五代指令集架构；二是它代表了变化（variation）和向量（vector）。 经过几年的开发，加州大学伯克利分校为 RISC-V 架构开发出了完整的软件工具链以及若干开源的处理器实例，使 RISC-V 架构得到越来越多的关注。2015 年，RISC-V 基金会正式成立并开始运作。 RISC-V 基金会是一个非营利性组织，负责维护标准的 RISC-V 指令集手册与架构文档，并推动 RISC-V 架构的发展。 RISC-V 架构的发展目标如下： 成为一种完全开放的指令集，可以被任何学术机构或商业组织自由使用。 成为一种真正适合硬件实现且稳定的标准指令集。 Less is God RISC-V 的设计理念很简单：大道至简。它力图通过架构的定义使硬件的实现足够简单。 模块化指令集 RlSC-V 的指令集使用模块化的方式进行组 ...

为了竞赛，多学一点。 参考书目： 手把手教你RISC-V CPU 上 处理器设计 - Zlib 计算机组成与设计：硬件/软件接口（原书第5版·RISC-V版） - Zlib 参考资料： ISRC-CAS/riscv-isa-manual-cn 目录 第一篇 RISC-V简介

一步错，步步皆错。

第七章 金半接触 电子亲和能 答案对半导体而言，电子亲和能表示使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 热电子发射理论 答案以n型半导体为例，当n型阻挡层很薄，以至于电子平均自由程远大于势垒宽度时，电子在势垒区的碰撞可以忽略，因此，这时起决定作用的是势垒高度。半导体内部的电子只要有足够的能量超越势垒的顶点，就可以自由地通过阻挡层进入金属；同样，金属中能超越势垒顶的电子也能到达半导体内，计算电流就归结为计算超越势垒的载流子数目，这就是热电子发射理论。 肖特基势垒 答案指金属和半导体接触，在金属一侧的半导体表面形成相当厚的一层具有整流作用的空间电荷区。 肖特基接触 答案指金属和半导体材料的整流接触，在交界面处半导体的能带发生弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在导致了大的界面电阻。 功函数 答案功函数是热力学温度零度时真空中静止电子能量与金属/半导体的费米能级能量之差。 第八章 半导体表面与MIS结构 表面态 答案晶体自由表面的存在使其周期性势场在表面处发生中断，从而在禁带中引入附加能级，这些能级上的电子局限在表面附近，并沿与表面相垂直的方向向体内指数 ...

逻辑信号与各种各样的门 对于数字信号，我们通常设定一个阈值。低于阈值的认为是0，高于阈值的认为是1。 技术 0 1 CMOS 0-1.5V 3.5-5.0V TTL 0-0.8V 2.0-5.0V TTL逻辑门 CMOS逻辑门已经很熟悉了，今天来点大家想看的东西啊。 这是怎么工作的？ 输入端至少有一个接低电平。A端发射结导通，VB1=1V，其它发射结均因反偏而截止，T2与T5截止，则VC2=5V。若认为VBE=0.7V，输出高电平为5-0.7-0.7=3.6V。 CMOS 逻辑门电路和 TTL 逻辑门电路二者相比有何区别？ 答案早期的 CMOS 与 TTL 逻辑门相比，CMOS 速度慢、功耗低，而 TTL 主要是速度快，但功耗大。 后来随着制造工艺的不断改进，CMOS 电路的集成度、工作速度、功耗和抗干扰能力远优于 TTL。 组合逻辑 一些常见的定理 一致性定理 (X+Y)(X'+Z)(Y+Z)=(X+Y)(X'+Z)被称为一致性定理，YZ称为XY项与X'Z项的一致项。 证明也比较简单：若YZ为1，则Y与Z都为1，且XY或X'Z必有一个为1。已知YZ项是多余 ...

第四章 半导体的导电性 迁移率 答案单位电场强度下载流子的平均漂移速度，其大小为载流子漂移速度与电场强度的比值，代表了载流子导电能力的大小。 电离杂质散射 答案电离施主或电离受主附近形成一个库伦势场，这一势场局部破坏了杂质附近的周期性势场，当载流子运动到电离杂质附近时，使其运动速度与方向均发生改变，即为电离杂质散射。 晶格振动散射 答案一定温度下，晶体中原子都各自在其平衡位置附近做微小振动。载流子在半导体中运动时，会不断地与这些热振动着的晶格原子发生碰撞，这种由于晶格热振动的碰撞使载流子的运动速度与方向均发生改变的现象就是晶格振动散射。 晶格振动散射包括光学波散射和声学波散射。 等能谷散射 答案以硅为例，其导带具有极值能量相同的六个旋转椭球等能面，载流子在这些能谷中分布相同，这些能谷即等能谷。电子在这些多能谷半导体中从一个极值附近散射到另一个极值附近的散射，叫等能谷散射。 位错散射 答案以n型硅为例，位错线俘获电子，成为一串负电中心。周围形成带正电的圆柱形电荷区，内部存在的电场就是引起载流子散射的附加势场。 平均自由程 答案半导体中的载流子连续两次散射 ...

“你认为Beatles为什么要歌唱‘当我64岁的时候’？” 进位计数制 十进制、十六进制、二进制互转应该已经烂熟于心了。 什么是编码、什么又是译码？ 特定的二进制数码称为代码。 以一定的规则编制代码，用以表示十进制数值、字母、符号等的过程称为编码。 将代码还原成所表示的十进制数、字母、符号等的过程称为解码或译码。 小数点的转换方法 对于十进制小数，如何转换成二进制小数？ 将小数位乘以2，若大于1，则记为1，将其减去1；若小于1，则记为0。之后重复该循环就行。当然，不是所有小数都可以表示成有限位的二进制小数。 那对于三进制小数呢？比如(121.2)3使用二进制如何表示？ 负数的表示 负数也是很头疼的话题。反码、补码……学《大学计算机》的时候就被折磨过了。 补码 Complement Number System 十进制补码就是10's complement，二进制补码就是two's complement。这里着重讨论二进制补码。 对于二进制补码，最高有效位（MSB）为符号位。此时，MSB的权为-2n-1，可表示数的范围为−(2n−1),+(2n−1−1)-(2^{n-1}),+( ...