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实验本意是好的，只是学生操作的时候出了点问题 关键代码 123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172737475767778798081828384858687888990919293949596979899100101102103104105106107108109110111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140141142143;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; n1-dvs.cmd ;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;(sde:clear)(sde:set-process-up-direction "+z")(sdegeo:set-default-boolean " ...

【物联网】了解SPI通信：串行外设接口的基本工作原理，51、stm32实现SPI_spi接口通信-CSDN博客

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PN结 静电特性&理想二极管方程 击穿 pn结反向电压超过某个特定值后，反向电流会突然急速增大，这一现象叫pn结电击穿。 发生电击穿时的反向偏压VBR叫击穿电压。VBR是pn结反向能够承受的最大电压。 pn结电击穿不是破坏性的，即电击穿是一个可逆过程。击穿电压与pn结的结构以及掺杂分布有明确的关系，是可以预测的。 pn结电击穿是一种强电场效应，其物理机制有两种，一是雪崩击穿，二是齐纳击穿。 雪崩倍增 碰撞电离产生的载流子以及原有的载流子，在强电场的作用下重新获得足够高能量，继续通过碰撞再次产生电子-空穴对，载流子的这种增加过程称为倍增，持续的倍增称为雪崩倍增。雪崩倍增会导致载流子数目急剧增加。 发生雪崩倍增的条件： 一是电场足够强，产生碰撞电离； 二是高电场区要有一定的宽度。 外延层厚度W小鱼击穿所需要的耗尽层宽度时击穿电压和外延层厚度有关。 提高雪崩击穿电压的方法： 降低结两边的掺杂浓度, 特别是低掺杂一侧的杂质浓度； 深结（增大曲率半径, 减小边角电场）； 采用结终端技术（目的是降低结的曲率效应）； 降低表面电荷（表面钝化）。 齐纳击穿 本质上是量子力学中 ...

Edge下大文件太慢了，想都不用想肯定是因为单线程下载的问题。 搜了下，Chromium内核是有多线程下载的功能的，但是需要手动开启。 话不多说直接开始~ 准备 Chromium内核的浏览器(Chrome/Edge之类的均可) 步骤 打开浏览器 地址栏输入chrome://flags/#enable-parallel-downloading，将Parallel downloading设置为Enable 享受多线程的高速下载吧~ 参考资料 使用Chrome浏览器的都过来瞧瞧，99%的MJJ都不知道的Chrome下载设置 (nodeseek.com) 后记 其实很久没用过自带下载器了，我都是用的IDM

总体来说，这课还是很水的。

工艺集成 金属化与多层互连 金属化材料可分为三大类: 互连材料 接触材料 MOSFET栅电极材料 布线技术 电迁移现象：在大电流密度作用下金属化引线的质量输运现象。 金属化引线的电迁移现象，在负极附近易形成空洞,正极附近易形成小丘。 多层互联 双大马士革法 [{"url":"https://webp.esing.dev/img/ch12工艺集成%20-%200027_2023-6-1_0931_jkkj6xw4re.png","alt":""},{"url":"https://webp.esing.dev/img/ch12工艺集成%20-%200028_2023-6-1_0931_cjqljg0liq.png","alt":""},{"url":"https://webp.esing.dev/img/ch12工艺集成%20-%200029_2023-6-1_0931_ibiwfdvd33.png","alt":""},{"url":"https://webp.esing.dev/img/ch12工艺集成%20-%200030_2023-6-1_0931_s ...

刻蚀技术 概述 刻蚀是利用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。因此，刻蚀过程中光刻胶层起着有效保护下面的膜层不受浸蚀的作用。 理想刻蚀的特点 各向异性刻蚀,即只有垂直刻蚀,没有横向钻蚀。这样才能保证精确地在被刻蚀的薄膜上复制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形； 良好的刻蚀选择性，即对作为掩膜的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性，不致因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料； 加工批量大，控制容易,成本低，对环境污染少，适用于工业生产。 湿法刻蚀 湿法刻蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面薄膜图形。 三个基本步骤： 反应物质扩散到被刻蚀薄膜的表面。 反应物与被刻蚀薄膜反应。 反应后的产物从刻蚀表面扩散到溶液中，并随溶液排出。在这三个步骤中，一般进行最慢的是反应物与被刻蚀薄膜反应的步骤，也就是说，步骤的进行速率即是刻蚀速率。 优点：对特定薄膜材料的刻蚀速率远远大于对其他材料的刻蚀速率，从而提高刻蚀的选 ...

光刻技术 光刻掩模版的制造 制版工艺简介 掩膜版上保护膜：使外来物品无法聚焦在晶片上。 铬版的制备技术 由于金属铬膜与相应的玻璃衬底有很强的粘附性能，因此牢固度高，而且金属铬质地坚硬，使得铬版非常耐磨，使用寿命很长。 图形失真小，分辨率极高。 铬膜的光学密度大，0.08μm厚的铬膜就可达到4μm乳胶膜的光学密度，由于衬底是透明玻璃，所以反差极好。 铬版掩模经长时间使用，其图形的尺寸变化较少而且制作时出现的缺陷很少。 彩色版制备技术 彩色版是一种采用新型的透明或半透明掩模，因有颜色，即俗称彩色版，它可克服超微粒干版缺陷多，耐磨性差及铬版针孔多、易反光、不易对准等缺点。 彩色版种类很多，有氧化铁版、硅版、氧化铬版、氧化亚铜版等，目前应用较广的是氧化铁彩色版。 氧化铁彩色版的优点： 在观察光源波长下是透明的，而在曝光光源波长下是不透的。由于这一特性，掩模对可见光透明而阻挡紫外线通过，因而允许在光刻时通过掩模直接观察片子上的图形。 具有较低的反射率，在接触曝光时，由于掩模与片子之间的多次反射从而降低了铬掩模的有效分辨率，由于氧化铁掩模的反射率低，与正性胶配合能获得0.5~1μm的条宽 ...

光刻工艺 概述 光刻(photolithography)就是利用光刻胶的感光性和耐蚀性，在各种薄膜上复印并刻蚀出与掩摸版完全对应的几何图形，以实现选择性掺杂和金属布线的目的。是一种非常精细的表面加工技术，在芯片生产过程中广泛应用。 光刻精度和质量将直接影响器件的性能指标，同时也是影响制造成品率和可靠性的重要因素。 光刻系统的主要指标：分辨率、焦深、对比度、特征线宽控制、对准和套刻精度、产率以及价格。 基本光刻工艺流程 九大步骤：底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、显影检验、刻蚀、去胶、最终检验。 曝光 正胶&负胶： 第十章 坚膜 坚膜温度要高于前烘和曝光后烘烤温度 光刻技术中的常见问题 光刻过程中，常出现浮胶、毛刺、钻蚀、针孔和小岛等缺陷。 浮胶 浮胶就是在显影和腐蚀过程中，由于化学试剂不断侵入光刻胶膜与SiO2或其他薄膜间的界面，所引起的光刻胶图形胶膜皱起或剥落的现象。所以，浮胶现象的产生与胶膜的黏附性有密切关系。 显影时产生浮胶的原因有： 涂胶前基片表面沾有油污，水汽，使胶膜与基片表面粘附不牢。 光刻胶配制有误或胶液陈旧，不纯，胶的光化学反应性能不好，与 ...