哈尔滨之旅
雪色、雪花、雪之痕。
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五彩斑斓的世界——三部曲
祈祷明天对你来说，也是美好的一天。
水月雨『破晓』开箱与试听
感谢 @RainaYoung 和我的好友送上的生日礼物！
前言
好友送的生日礼物到了。都知道我喜欢听歌，直接送了水月雨的破晓Pro，这也是我之前看好的一款耳放，应该是目前最便宜的双CS43131了。CS43131和CS43198的区别仅仅在于前者芯片内部集成了运放，音频解码参数都是一样的。 理论上讲可以外接更好的运放，不过集成在一起可能可以降低噪声？看Layout怎么样了
开箱
盒子并不是我想象中的纸盒子，而是金属的圆盒。正面的友希很吸睛，看一眼就知道是水月雨家的了。毕竟是彩色立绘，会比竹II那样的黑白立绘更有辨识度。随产品还附赠了贴纸，似乎有人是茶包有人是贴纸，之前买竹II送的也是贴纸。
内部装的东西倒不多。正面是破晓本体，将海绵拿出后，背面是自带的镀银线和一个Type-C转Type-A的转接头，便于电脑使用。都是数字信号，镀银线真的有用吗？
全机很轻，重量和加过转接板的海贝FC1差不多。铝合金+微磨砂的机身摸着也很舒服也很容易刮花，感觉放在室内听不错。正面的孔不少，感觉进灰会是个问题。
固件方面，我无法查看出厂的固件版本，问客服也说是建议寄回升级。不知道官网的固件升级程序是怎 ...
半导体物理复习笔记：第六篇
非平衡载流子的产生和复合
平衡载流子和非平衡载流子的关系
对半导体施加外部作用（光照、电注入等），可以破坏热平衡，使其成为非平衡态。载流子浓度比平衡时的多些，多余的那部分用Δn/Δp表示，称其为非平衡载流子或过剩载流子，用n或p表示总的载流子浓度，因此得到：
n=n0+Δnp=p0+Δp\begin{aligned}
n &= n_0+\Delta n \\
p &= p_0+\Delta p
\end{aligned}
np=n0+Δn=p0+Δp
n0p0=ni2⇒np=(n0+Δn)(p0+Δp)≠ni2\begin{aligned}
n_0p_0 &= n_i^2 \\
& \Rightarrow \\
np &= (n_0+\Delta n)(p_0+\Delta p) \\ &\neq n_i^2
\end{aligned}
n0p0np=ni2⇒=(n0+Δn)(p0+Δp)=ni2
平衡少数载流子通常非常少，非平衡载流子浓度往往比平衡少数载流子大得多；多数载流子受非平衡载流子影响很小，而非平衡载 ...
文言文赏析《卧石乃龙》
卧石，乃龙。
半导体物理复习笔记：第五篇
载流子的漂移运动与迁移率
导体的欧姆定律
I=VR,J=ΔIΔs,R=ρlSI = \dfrac{V}{R},\quad J = \dfrac{\Delta I}{\Delta s},\quad R = \rho \dfrac{l}{S}
I=RV,J=ΔsΔI,R=ρSl
其中：电阻率单位为Ω·cm，电导率单位为s/cm，可求得欧姆定律的微分形式：
I=VR=ElρlS=SρE=SσE⇒J=σ∣E∣I = \dfrac{V}{R} = \dfrac {El}{\rho \dfrac{l}{S}} = \dfrac{S}{\rho}E = S\sigma E
\quad \Rightarrow \quad
J = \sigma \big|E \big|
I=RV=ρSlEl=ρSE=SσE⇒J=σE
漂移速度和迁移率
漂移运动是导体外加电压，内部电子受到电场力的作用，沿电场力反方向作定向运动形成电流的现象。漂移速度是定向运动的速度，平均漂移速度用vd‾\overline{v_d}vd表示。因此：
J=−nqvd‾J = -nq \overline{v_d}
J=− ...
半导体物理复习笔记：第四篇
怎么能有不分hhh和ℏ\hbarℏ的老师，真的要被气晕了
状态密度
在半导体的导带和价带中，有很多能级存在，但相邻能级间隔很小，可以近似认为能级是连续的，因而可将能带分为一个一个能量很小的间隔来处理。
假定在能带中能量E~(E+dE)之间无限小的能量间隔内有dZ个量子态，则状态密度g(E)为g(E)=dZdEg(E) = \dfrac{dZ}{dE}g(E)=dEdZ。也就是说，状态密度就是在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。
k空间量子态分布与能量状态密度
所以k空间中量子态密度（单位体积）为V＝L3。考虑电子自旋，则量子态密度为2V （单位体积）。k空间量子态是均匀分布的。
k空间等能面及解决问题思路
g(E)=dZdE=2VdΩdEg(E) = \dfrac{dZ}{dE}=\dfrac{2Vd\Omega}{dE}g(E)=dEdZ=dE2VdΩ，其中dΩd\OmegadΩ是对应的体积微元。
球形等能面
若能带极值在k＝0且等能面为球形，则微元dΩ=4πk2dkd\Omega=4\pi k^2 dkdΩ=4πk2dk。k空间中，电子的允许量子态密度为2V/ ...
耳机功率计算器
最近又准备升级前端了，看好水月雨的破晓再买水月雨我是傻逼
不知道买多大推力的小尾巴，在贴吧看到了这个耳机功率计算器：Headphones Power Calculator
比如，对于水月雨竹II：MOONDROP CHU2
可以看到，要推动这耳机需要的功率不小。好在手上的海贝FC1力大砖飞。
再比如天使吉米的兔几：TANCHJIM BUNNY
需要的推力就小了很多，CX31993都能轻松拿下。
半导体物理复习笔记：第三篇
半导体中杂质和缺陷能级
在实际应用的半导体材料晶格中，总是存在着偏离理想情况的各种复杂现象。首先，原子并不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置上，而是在其平衡位置附近振动；其次，半导体材料并不是纯净的，而是含有若干杂质，即在半导体晶格中存在着与组成半导体材料的元素不同的其他化学元素的原子；再次，实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而是存在着各种形式的缺陷。这就是说，在半导体中的某些区域，晶格中的原子周期性排列被破坏，形成了各种缺陷。
一般将缺陷分为三类：①点缺陷，如空位、间隙原子；②线缺陷，如位错；③面缺陷，如层错、多晶体中的晶粒间界等。我们称这三种缺陷为本征缺陷。
微量杂质对半导体性质起决定性的影响，如在硅中掺入百万分之一的硼，电导率会提高百万倍。
由于杂质和缺陷的存在，会使严格按周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，有可能在禁带中引入允许电子具有的能量状态（即能级）。正是由于杂质和缺陷能够在禁带中引入能级，才使它们对半导体的性质产生决定性的影响。
理想半导体假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，而实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。
理想半导体 ...
