LaTeX插入代码并设置高亮
前言
最近在写 表达与交流 这门课的论文。我肯定不会用Word的,毕竟太烦了。 但是Markdown+Typora的方案对于复杂的论文格式来说有点力不从心,遂作罢,选择LaTeX。
感谢Rei Suzunami自制的Overleaf模板!
listing+minted
12345678910111213141516171819202122\usepackage{minted}% 语法高亮和代码样式设置方面更加强大和灵活\usepackage{listings}% 引入listings包,用于在文档中插入代码,并可自定义代码样式\usepackage{xcolor}\begin{document}\begin{listing}[htb] \caption{判断质数} \label{code:2} \begin{minted}{cpp}#include<stdio.h>int main(){ ...
数学薄弱点归纳
遇事不决洛必达。
英语作文句式整理
也是好起来了,考研都能用上高考作文素材了!
做了一批亚克力合影卡!
我喜欢DIY!
数字CMOS集成电路复习笔记:第十篇
考试可能会考SPICE,但是考试考SPICE不太可能
模拟CMOS的一些问题整理
第五章:电流镜与偏置技术
电流受到电源波动的影响
如何计算ΔI1ΔVDD\frac{\Delta I_1}{\Delta V_{DD}}ΔVDDΔI1?
可以直接在M3的漏极向上看向下看,算出等效阻抗之后,用电压源波动除以电流波动即可。
对于M3的漏极,因为M5是二极管连接型,因此随着电压上下平移,可认为ΔVD3=ΔVDD\Delta V_{D3} = \Delta V_{DD}ΔVD3=ΔVDD。而M3向下看的阻抗是一个共源共栅结构,即为gm3ro3ro2g_{m3}r_{o3}r_{o2}gm3ro3ro2,向上看是一个二极管连接型1/gm51/g_{m5}1/gm5,因此等效阻抗就约为1/gm51/g_{m5}1/gm5。
低压共源共栅电流镜的镜像极点分析
如何分析X点(镜像极点)处的阻抗?
实际上,X点向上看就是1/gm71/g_{m7}1/gm7,因为M5接在电路中不受影响,M7就是一个二极管连接型。从X点向下看,又是一个共源共栅结构阻抗,为gm3ro3ro1g_{m3}r_{o3}r_{o1}gm3ro3ro1。因此X点处阻抗应为并联,约等于 ...
数字CMOS集成电路复习笔记:第九篇
VLSI设计流程
IP核
IP核(Intellectual Property Core)是指预先设计好的、经过验证的功能模块,可以被集成到更大的系统中,以加速设计过程并降低开发成本。IP核通常由第三方供应商提供,也可以是公司内部开发的知识产权。
类型:
软核(SoftCore):
定义:软核是以硬件描述语言(如Verilog或VHDL)的形式提供的逻辑设计文件。
特点:灵活性高,可以根据具体的应用需求进行优化和修改。
应用:适用于需要高度定制化的场景,如特定算法的实现。
硬核(HardCore):
定义:硬核是已经完成布局布线的物理设计,可以直接嵌入到芯片中。
特点:性能高,功耗低,但灵活性较低,难以修改。
应用:适用于高性能、低功耗要求的场景,如处理器核心、高速接口等。
固核(FirmCore):
定义:固核介于软核和硬核之间,通常以门级网表(Gate-Level Netlist)的形式提供。
特点:具有一定的灵活性,但已经进行了初步的优化,可以节省设计时间和资源。
应用:适用于需要一定灵活性但又希望快速集成的场景。
集成电路常见厂商
CAD/EDA
Syno ...
数字CMOS集成电路复习笔记:第八篇
生了一个星期的病终于好了。最开始发烧,烧了两天之后腹泻,腹泻完了又鼻塞,鼻塞好了又咳嗽……呜呜>_<
ESD保护
ESD(Electro Static Discharge),是造成大多数IC受到过度电应力(ElectricalOverstress, EOS)破坏的主要因素,这种破坏是永久性的。
ESD放电模型:
HBM-Human Body Model
MM-Machine Model
CDM-Charged-Device Model
FIM-Field-Induced Model
对于ESD输入保护电路,我们使用两个二极管串联电源与地的方法,对输入引脚进行箝位:
ESD造成破坏的原理是一个极大的输入电压将内部电路破坏。箝位之后,VA的电压被控制在−0.7V⩽VA⩽VDD+0.7V-0.7V\leqslant V_A \leqslant V_{DD}+0.7V−0.7V⩽VA⩽VDD+0.7V之间,从而使ESD影响最小化。流过二极管的电流应当限制在几十毫安以下。
大的驱动晶体管的扩散区到衬底天然就是ESD保护电路,但是要确定是否有足够的保护能力。
ESD放电 ...
我推的Gal
排名不分先后
主要作品使用粗体标出
Yuzusoft 柚子社
我草,柚子厨真恶心啊 -_- !
魔女的夜宴
千恋万花
Riddle Joker
星光咖啡馆与死神之蝶
天使纷扰 Re:Boot!
Sprite 雪碧社
我老想买 蒼の彼方のフォーリズム10周年記念Visual Fan Book 了,可惜代购太贵了
还是买了,等待出荷补款 ^_^
什么居然恋爱选举与巧克力也上Steam了
苍之彼方的四重奏
苍之彼方的四重奏EX1
苍之彼方的四重奏EX2
Palette 调色板
坐等游戏外传和下半年上映的Ruler's Crown!
9-nine- 系列
九次九日九重色
天色天歌天籁音
春色春恋春熙风
雪色雪花雪之痕
新章
Key 键社
星之终途
FAVORITE F社
五彩斑斓的世界
五彩斑斓的曙光
映入红瞳的世界
Navel 近月社
近朱者赤、近墨者黑、近月者弯!
近月少女的礼仪
少女理论及其周边
少女理论及其之后的周边
近月少女的礼仪2
Frontwing 前翼社
ATRI~ My Dear Moments~
PurpleSoftware 紫社 ...
数字CMOS集成电路复习笔记:第七篇
2024.11.18 老师说考研不考。一得阁拉米的。
存储器概述
按照掉电是否丢失信息,分为易失性存储器与非易失性存储器:
易失性存储器:SRAM、DRAM
非易失性存储器:Flash、EEPROM等
为什么有这么多种类的存储器?
我们无法制造出即速度快、容量大又价格便宜的存储器;我们只能制造出速度快、容量小的存储器。
例如SRAM,5~20ns访问速度,很贵,只能用在CPU内部作为Cache;
或者容量大、速度慢的存储器,例如DRAM,60~100ns访问速度,比SRAM便宜,作为计算机主要内部存储元件;
或者速度更慢、价格便宜的存储器,例如机械硬盘,毫秒级访问速度,很便宜,计算机外部存储元件。
Flash,非易失性,速度慢,比硬盘贵,但现在采用新技术可以达到较高的访问速度,成本也降低了很多,但还是比硬盘贵。如SSD盘,速度比硬盘快,价格比硬盘贵
新型的存储器:FRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM、STTRAM等。目标:提高性能、降低成本、大容量等
常见存储器对比
对比项
DRAM
SRAM
Flash
断电易失性
是
否
数据刷新
是
否
单元 ...